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典型電路

      1、電路1

      說明：

      GND-IN　　為電源接口的負(fù)極

      GND　　　 為內(nèi)部電路的公共地

      原理分析

      正向接：

      VCC-IN通過R1、R2、MOS體二極管，最后回到GND-IN;然后GS電壓升高，緊接著SD溝道形成；溝道電阻很小，將MOS體二極管短路。

      反向接：

      MOS體二極管截至

      2、電路2

      說明：

      GND-A-24V　　為電源接口的負(fù)極

      GND-A　　　 為內(nèi)部電路的公共地

      原理分析

      正向接：

      VCC-IN通過R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS電壓升高，緊接著SD溝道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。

      反向接：

      雖然 MOS體二極管這時(shí)正向接，但是由于GND-A上端接的是我們的電路，電路的上端是VCC-A-24V-IN，所以還是無法通過；事實(shí)上GND-A-24V根本接不進(jìn)我們的電路以形成回路。

      二、優(yōu)缺點(diǎn)

      1、優(yōu)點(diǎn)

      由于正向接導(dǎo)通時(shí)，MOS管Ron很小，壓降非常小，基本保證了GND和GND-IN等電位。

      而串聯(lián)二極管會(huì)有一定的壓降。

      2、缺點(diǎn)

      電路復(fù)雜，價(jià)格也高。

延申閱讀：簡(jiǎn)單易懂的PMOS管放倒灌電路

      如下電路圖所示，此種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由VIO9V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT4.2V不提供電壓給VBAT_OUT。而當(dāng)VIO9V為低時(shí)，VBAT_OUT由VBAT4.2V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟。D1和D2的作用在于防止電壓的倒灌，D2可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意。

      下圖這個(gè)電路，控制信號(hào)G_CTRL控制VB4.2+是否給VCC_OUT供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R2與R3存在的意義在于R2控制柵極電流不至于過大，R3控制柵極的常態(tài)，將R3上拉為高，截止PMOS。同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí)，即輸出為開漏時(shí)，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉，此時(shí)，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R3起到了兩個(gè)作用。R2可以更小，到100歐姆也可。

      如下放倒灌電路，也可以使用Pmos實(shí)現(xiàn)電路的防反接保護(hù)功能。當(dāng)電源接反時(shí),從而使得PMOS不導(dǎo)通，后級(jí)電路斷開。電路如下圖，加入穩(wěn)壓管是為了更好的保護(hù)MOS管，這里保護(hù)過程和NMOS管差不多。

      MOS管防倒灌電路設(shè)計(jì)如下圖所示:在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口，為了防止充電器拔掉時(shí),電池電壓出現(xiàn)在充電接口。

      (Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路)注意Q3的DS反向接于電路,這樣做是防止MOS的體=極管對(duì)電路產(chǎn)生的影響(如果Q3按常規(guī)方式接在電路中, C點(diǎn)接電源則會(huì)在B點(diǎn)出現(xiàn)電壓)

      電源自動(dòng)切換

      MOS管防倒灌電路